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EnglishInterpretation of ion-channeling spectra in ion-implanted Si with models of structurally relaxed point defects and clusters / G. LULLI; E. ALBERTAZZI; M. BIANCONI; A. SATTA; S. BALBONI; COLOMBO L. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS. - ISSN 1098-0121. - 69(2004), pp. 165216-1-165216-7.
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http://hdl.handle.net/11584/12644| Titolo: | Interpretation of ion-channeling spectra in ion-implanted Si with models of structurally relaxed point defects and clusters |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2004 |
| Rivista: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11584/12644 |
| Tipologia: | 1.1 Articolo in rivista |
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