Influence of internal electrical fields on the ground level energy of GaN/AlGaN multi-quantum wells

Bonfiglio, Annalisa; Lomascolo, M.; Traetta, G. P.; Cingolani, R.; DI CARLO, A.; DELLA SALA, F.; Lugli, P.; Botchkarev, A.; Morkoc, H.

Influence of internal electrical fields on the ground level energy of GaN/AlGaN multi-quantum wells / BONFIGLIO A; M. LOMASCOLO; G.P. TRAETTA; R. CINGOLANI; A. DI CARLO; F. DELLA SALA; P. LUGLI; A. BOTCHKAREV; H. MORKOC. - In: MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH. - ISSN 1092-5783. - 5S1(2000).

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Titolo:	Influence of internal electrical fields on the ground level energy of GaN/AlGaN multi-quantum wells
Autori:	BONFIGLIO, ANNALISA M. LOMASCOLO G. P. TRAETTA R. CINGOLANI A. DI CARLO F. DELLA SALA P. LUGLI A. BOTCHKAREV H. MORKOC mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2000
Rivista:	MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH
Handle:	http://hdl.handle.net/11584/1942
Tipologia:	1.1 Articolo in rivista

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