UNICA IRIS Institutional Research Information System
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EnglishInvestigation of heavily damaged ion implanted Si by atomistic simulation of Rutherford backscattering channeling spectra / Lulli G; Albertazzi E; Bianconi M; Satta A; Balboni S; Colombo L; Uguzzoni A. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B, BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. - ISSN 0168-583X. - 230(2005), p. 613.
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| Titolo: | Investigation of heavily damaged ion implanted Si by atomistic simulation of Rutherford backscattering channeling spectra |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2005 |
| Rivista: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11584/37234 |
| Tipologia: | 1.1 Articolo in rivista |
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