Investigation of heavily damaged ion implanted Si by atomistic simulation of Rutherford backscattering channeling spectra / Lulli G; Albertazzi E; Bianconi M; Satta A; Balboni S; Colombo L; Uguzzoni A. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B, BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. - ISSN 0168-583X. - 230(2005), p. 613.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
Titolo: | Investigation of heavily damaged ion implanted Si by atomistic simulation of Rutherford backscattering channeling spectra |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 2005 |
Rivista: | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11584/37234 |
Tipologia: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.