Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
UNICA IRIS Institutional Research Information System
Zinc-blende AlGaN epilayers were grown by plasma-assisted MBE on thick (001) SiC deposited by CVD on Si substrates. Alloy compositions were controlled in situ by reflection high energy diffraction (RHEED) oscillations, and confirmed by Rutherford backscattering (RBS) post growth analysis. The zinc-blende nature of our samples was assessed by RHEED analysis. From reflectivity
measurements at room temperature, we deduce the variation of the lowest direct absorption edge of zinc-blende AlGaN as a function of the Al content x, E0(x) = 3.25 (1 - x) + 6.05x - 1.4x (1 - x), E0 in eV. The dispersion of the refractive index n of cubic AlN was also extracted from our
reflectivity and RBS data, and fitted by a Sellmeier-type relation, n^2 = 3.05 + 1.38 lambda^2/(lambda^2 - 180^2),
lambda being the wavelength in nm.
Optical characterization of MBE grown zinc-blende AlGaN
E. MARTINEZ GUERRERO;F. ENJALBERT;J. BARJON;E. BELLET ALMARIC;B. DAUDIN;G. FERRO;D. JALABERT;LE SI DANG;H. MARIETTE;Y. MONTEIL;MULA, GUIDO
2001
Abstract
Zinc-blende AlGaN epilayers were grown by plasma-assisted MBE on thick (001) SiC deposited by CVD on Si substrates. Alloy compositions were controlled in situ by reflection high energy diffraction (RHEED) oscillations, and confirmed by Rutherford backscattering (RBS) post growth analysis. The zinc-blende nature of our samples was assessed by RHEED analysis. From reflectivity
measurements at room temperature, we deduce the variation of the lowest direct absorption edge of zinc-blende AlGaN as a function of the Al content x, E0(x) = 3.25 (1 - x) + 6.05x - 1.4x (1 - x), E0 in eV. The dispersion of the refractive index n of cubic AlN was also extracted from our
reflectivity and RBS data, and fitted by a Sellmeier-type relation, n^2 = 3.05 + 1.38 lambda^2/(lambda^2 - 180^2),
lambda being the wavelength in nm.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11584/5490
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
Citazioni
ND
ND
ND
social impact
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
