UNICA IRIS Institutional Research Information System
IRIS è il sistema di gestione integrata dei dati della ricerca (persone, progetti, pubblicazioni, attività) adottato dall'Università degli Studi di Cagliari dal mese di luglio 2015.
EnglishIn a stacked structure of cubic GaN/AlN islands grown in a Stranski-Krastanov mode, the critical thickness for the GaN islanding (2D–3D transition) decreases by a factor of up to 10 between the initial dot layer and the third one. This variation of the critical thickness is strongly dependent on the AlN spacer thickness. Moreover, we observe systematically a change of the quantum dot strain state and an increase of island size, depending on the GaN island layer number.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11584/5491| Titolo: | Modified Stranski-Krastanov growth in stacked layers of self-assembled cubic GaN/AlN quantum dots |
| Autori interni: | MULA, GUIDO |
| Data di pubblicazione: | 2001 |
| Rivista: | PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH |
| Abstract: | In a stacked structure of cubic GaN/AlN islands grown in a Stranski-Krastanov mode, the critical thickness for the GaN islanding (2D–3D transition) decreases by a factor of up to 10 between the initial dot layer and the third one. This variation of the critical thickness is strongly dependent on the AlN spacer thickness. Moreover, we observe systematically a change of the quantum dot strain state and an increase of island size, depending on the GaN island layer number. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11584/5491 |
| Tipologia: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2017