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EnglishWe present a model for the dielectric function of semiconductors. It has been tested successfully for Si, Ge, GaAs, and ZnSe. In conjunction with the single plasmon-pole approximation it yields plasmonenergy dispersions in fair agreement with experiments. It allows one, moreover, to deduce an analytical expression for the Coulomb-hole part of the static self-energy operator.
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| Titolo: | Model dielectric function for semiconductors | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1993 | |
| Rivista: | ||
| Abstract: | We present a model for the dielectric function of semiconductors. It has been tested successfully for Si, Ge, GaAs, and ZnSe. In conjunction with the single plasmon-pole approximation it yields plasmonenergy dispersions in fair agreement with experiments. It allows one, moreover, to deduce an analytical expression for the Coulomb-hole part of the static self-energy operator. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11584/5944 | |
| Tipologia: | 1.1 Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11584/5944
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